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首页 全部分类 IRFH5215TR2PBF vs IRFH5015TRPBF

IRFH5215TR2PBF备选型号: IRFH5015TRPBF

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  • 端子位置
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  • 晶体管应用
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  • Infineon Technologies
    IRFH5215TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    PQFN (5x6)
    5A Ta 27A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    58MOhm
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    3.6W
    6.7 ns
    N-Channel
    58mOhm @ 16A, 10V
    5V @ 100μA
    1350pF @ 50V
    32nC @ 10V
    6.3ns
    150V
    2.9 ns
    5A
    20V
    150V
    1.35nF
    60 ns
    58mOhm
    58 mΩ
    5 V
    850μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5015TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    10A Ta 56A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    9.4 ns
    N-Channel
    31m Ω @ 34A, 10V
    5V @ 150μA
    2300pF @ 50V
    50nC @ 10V
    9.7ns
    -
    3.4 ns
    56A
    20V
    150V
    -
    -
    -
    -
    -
    900μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    5V
    220A
    230 mJ
    150°C
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