您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFH5250DTRPBF vs DMTH3002LPS-13

IRFH5250DTRPBF备选型号: DMTH3002LPS-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRFH5250DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    40A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    1.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6115pF @ 13V
    83nC @ 10V
    72ns
    ±20V
    24 ns
    100A
    20V
    40A
    25V
    400A
    470 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMTH3002LPS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 1mA
    5000pF @ 15V
    77nC @ 10V
    -
    ±16V
    -
    100A
    -
    -
    -
    150A
    700 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    HIGH RELIABILITY
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    30V
    0.0025Ohm
    30V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH8202TRPBF IRFH8202TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 100A PQFN 对比
DMTH3002LPS-13 DMTH3002LPS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET NCH 30V 100A POWERDI 对比
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 40A PQFN 对比