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首页 全部分类 IRFH5302DTR2PBF vs IRFH5304TR2PBF

IRFH5302DTR2PBF备选型号: IRFH5304TR2PBF

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  • 输入电容
  • 恢复时间
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Infineon Technologies
    IRFH5302DTR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    PQFN (5x6) Single Die
    29A Ta 100A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    104W
    16 ns
    N-Channel
    2.5mOhm @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    3635pF @ 25V
    55nC @ 10V
    30ns
    30V
    12 ns
    100A
    2.35V
    20V
    30V
    3.635nF
    29 ns
    2.5mOhm
    2.5 mΩ
    2.35 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
  • Infineon Technologies
    IRFH5304TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    22A Ta 79A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    46W
    13 ns
    N-Channel
    4.5mOhm @ 47A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2360pF @ 10V
    41nC @ 10V
    25ns
    30V
    6.6 ns
    79A
    2.35V
    20V
    30V
    1.65nF
    29 ns
    4.5mOhm
    4 mΩ
    2.35 V
    810μm
    5mm
    5.0038mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
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