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首页 全部分类 IRFH5306TRPBF vs IRFHM8329TRPBF

IRFH5306TRPBF备选型号: IRFHM8329TRPBF

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 端子位置
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 终端形式
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFH5306TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    15A Ta 44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    8.1MOhm
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.1m Ω @ 15A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1125pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    26ns
    ±20V
    6.1 ns
    44A
    20V
    30V
    60A
    46 mJ
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8329TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.6W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.1m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 25μA
    1710pF @ 10V
    26nC @ 10V
    74ns
    ±20V
    14 ns
    16A
    20V
    30V
    230A
    43 mJ
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    39 Weeks
    FLAT
    1.7V
    无SVHC
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