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首页 全部分类 IRFH6200TRPBF vs NTD110N02R

IRFH6200TRPBF备选型号: NTD110N02R

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  • 终端形式
  • Reach合规守则
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH6200TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    49A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.95m Ω @ 50A, 10V
    1.1V @ 150μA
    10890pF @ 10V
    230nC @ 4.5V
    74ns
    ±12V
    160 ns
    100A
    800mV
    12V
    45A
    20V
    400A
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD110N02R
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    12.5A Ta 110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2009
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    235
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    2.88W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    3440pF @ 20V
    28nC @ 4.5V
    39ns
    ±20V
    21 ns
    110A
    -
    20V
    12.5A
    24V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    8541.29.00.95
    24V
    鸥翼
    not_compliant
    110A
    3
    不合格
    Single
    0.0062Ohm
    120 mJ
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