Infineon Technologies IRLR6225PBF
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IRLR6225PBF
1211-IRLR6225PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
--最小包装量--
IRLR6225PBF详情
Infineon Technologies IRLR6225PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
63W Tc
Turn Off Delay Time
63 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
63W
接通延迟时间
9.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 21A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3770pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 4.5V
上升时间
37ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
52 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
800mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
恢复时间
53 ns
栅源电压
800 mV
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRLR6225PBF拓展信息
Infineon Technologies
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