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首页 全部分类 IRFH7004TRPBF vs IRFH5104TR2PBF

IRFH7004TRPBF备选型号: IRFH5104TR2PBF

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  • 栅源电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFH7004TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 100A PQFN 5X6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    5
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    6419pF @ 25V
    194nC @ 10V
    51ns
    40V
    ±20V
    49 ns
    100A
    3V
    20V
    40V
    3 V
    850μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5104TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    -
    24A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    114W
    -
    9.5 ns
    N-Channel
    -
    3.5mOhm @ 50A, 10V
    4V @ 100μA
    3120pF @ 25V
    80nC @ 10V
    15ns
    40V
    ±20V
    10 ns
    24A
    4V
    20V
    -
    4 V
    900μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    PQFN (5x6)
    3.5MOhm
    150°C
    -55°C
    40V
    3.12nF
    47 ns
    3.5mOhm
    3.5 mΩ
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