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IRFH7184TRPBF备选型号: IPB042N10N3GE8187ATMA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 100V 20A表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON20A Ta 128A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FASTIRFET™, HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)5EAR994.8mOhmDUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4.8m Ω @ 50A, 10V3.6V @ 150μA2320pF @ 50V54nC @ 10V100V±20V128A20A260A100V360 mJ符合RoHS标准-------
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2005活跃1 (Unlimited)2EAR99-SINGLE鸥翼--R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 50A, 10V3.5V @ 150μA8410pF @ 50V117nC @ 10V100V±20V100A-400A100V-ROHS3 Compliant13 Weeksyes41 ns59ns14 ns20V0.0042Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB042N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R | 对比 |
 | IPB039N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 | 对比 |
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