IRFH7191TRPBF备选型号: NDBA100N10BT4H
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- MOSFET N-CH 100V 15A16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN815A Ta 80A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FASTIRFET™, HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)EAR998mOhm未说明未说明N-Channel8m Ω @ 48A, 10V3.6V @ 100μA1685pF @ 50V39nC @ 10V100V±20V80A符合RoHS标准无铅-------
- MOSFET N-CH 100V 100A DPAK4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3100A Ta175°C TJTape & Reel (TR)-2011Obsolete1 (Unlimited)EAR99---N-Channel6.9m Ω @ 50A, 15V4V @ 1mA2950pF @ 50V35nC @ 10V100V±20V100A符合RoHS标准无铅e3yesTin (Sn)40 ns385ns52 ns20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NDBA100N10BT4H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 100A DPAK | 对比 |
![]() | BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
![]() | IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |






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