IRFH7911TR2PBF备选型号: IRFH7921TR2PBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 操作温度
- 电阻
- 接通延迟时间
- Vgs(最大值)
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN表面贴装表面贴装18-PowerVQFN18PQFN (5x6)13A 28ACut Tape (CT)HEXFET®2012Obsolete2 (1 Year)150°C-55°C3.4WIRFH7911PBFDual3.4W2.4W 3.4W2 N-Channel (Dual)8.6mOhm @ 12A, 10V2.35V @ 25μA1060pF @ 15V12nC @ 4.5V35ns30V14 ns28A2.35V20V30V1.06nF20 ns逻辑电平门3mOhm8.6 mΩ2.35 V939.8μm5.9944mm5mm无SVHC无符合RoHS标准-----
- MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8PQFN (5x6) Single Die15A Ta 34A TcTape & Reel (TR)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C--Single3.1W-N-Channel8.5mOhm @ 15A, 10V2.35V @ 25μA1210pF @ 15V14nC @ 4.5V7.6ns30V4.7 ns15A1.8V20V30V1.21nF18 ns-8.5mOhm8.5 mΩ1.8 V950μm6mm5mm无SVHC无符合RoHS标准-55°C~150°C TJ8.5MOhm12 ns±20V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN | 对比 |





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