Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

18-PowerVQFN

引脚数

18

供应商器件包装

PQFN (5x6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A 28A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

28 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.4W

基本部件号

IRFH7911PBF

元素配置

Dual

功率耗散

3.4W

功率 - 最大

2.4W 3.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.6mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1060pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

28A

阈值电压

2.35V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

1.06nF

恢复时间

20 ns

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

3mOhm

最大rds

8.6 mΩ

栅源电压

2.35 V

高度

939.8μm

长度

5.9944mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准