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首页 全部分类 IRFH7914TRPBF vs FDD8780

IRFH7914TRPBF备选型号: FDD8780

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 双电源电压
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 质量
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRFH7914TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 15A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    15A Ta 35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    8.7MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    IRFH7914
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1160pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    11ns
    ±20V
    4.6 ns
    35A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    1.8 V
    1.1684mm
    5.2324mm
    6.1468mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8780
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    8.5MOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1440pF @ 13V
    29nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    24 ns
    35A
    1.8V
    20V
    25V
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    260.37mg
    yes
    雪崩 额定
    25V
    鸥翼
    35A
    Single
    TO-252AA
    60A
    224A
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