您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFH7921TR2PBF vs IRFHM831TRPBF

IRFH7921TR2PBF备选型号: IRFHM831TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH7921TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    PQFN (5x6) Single Die
    15A Ta 34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8.5MOhm
    150°C
    -55°C
    Single
    3.1W
    12 ns
    N-Channel
    8.5mOhm @ 15A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1210pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    7.6ns
    30V
    ±20V
    4.7 ns
    15A
    1.8V
    20V
    30V
    1.21nF
    18 ns
    8.5mOhm
    8.5 mΩ
    1.8 V
    950μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM831TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    14A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    12.6MOhm
    -
    -
    Single
    2.5W
    6.9 ns
    N-Channel
    7.8m Ω @ 12A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1050pF @ 25V
    16nC @ 10V
    12ns
    -
    ±20V
    4.7 ns
    14A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    1.8 V
    990.6μm
    3.2766mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    13 Weeks
    SILICON
    5
    EAR99
    DUAL
    S-PDSO-N5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    40A
    96A
    50 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 15A PQFN 对比
IRFHM831TRPBF IRFHM831TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 对比
FDD8780 FDD8780 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA 对比