IRFH7932TR2PBF备选型号: BSC034N03LSGATMA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- Vgs(最大值)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8PQFN (5x6) Single Die24A Ta 104A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)HEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)3.3MOhm150°C-55°CSingle3.1W20 nsN-Channel3.3mOhm @ 25A, 10V2.35V @ 100μA4270pF @ 15V51nC @ 4.5V48ns30V20 ns24A1.8V20V30V4.27nF32 ns3.3mOhm3.3 mΩ1.8 V939.8μm5mm5.1054mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--------------------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-22A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013活跃1 (Unlimited)----2.5W6.9 nsN-Channel3.4m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA4300pF @ 15V52nC @ 10V4.8ns-4.6 ns100A2.2V20V---------无SVHC-ROHS3 Compliant含铅39 WeeksSILICONe3no5EAR99Tin (Sn)LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATEDDUAL无铅未说明not_compliant未说明8R-PDSO-N5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素±20V30V22A400A55 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7934TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN | 对比 |
| NTMFS4898NFT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM | 对比 | |
![]() | IRFH8318TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN | 对比 |





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