Infineon Technologies IRFH7932TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

供应商器件包装

PQFN (5x6) Single Die

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Ta 104A Tc

Power Dissipation (Max)

3.4W Ta

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

3.3MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

3.1W

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4270pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51nC @ 4.5V

上升时间

48ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

24A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

4.27nF

恢复时间

32 ns

漏源电阻

3.3mOhm

最大rds

3.3 mΩ

栅源电压

1.8 V

高度

939.8μm

长度

5mm

宽度

5.1054mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅