IRFH7936TR2PBF备选型号: FDMS0309AS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56表面贴装表面贴装8-PowerTDFN88-PQFN (5x6)20A Ta 54A TcCut Tape (CT)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)4.8MOhm150°C-55°C3.1WSingle3.1W17 nsN-Channel4.8mOhm @ 20A, 10V2.35V @ 50μA2360pF @ 15V26nC @ 4.5V12ns30V7 ns24A20V30V2.36nF21 ns4.8mOhm4.8 mΩ1.8 V950μm5.2324mm5mm无SVHC无符合RoHS标准无铅------------------------
- MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-2.5W Ta 50W TcTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™-活跃1 (Unlimited)----Single2.5W11 nsN-Channel3.5m Ω @ 21A, 10V3V @ 1mA3000pF @ 15V47nC @ 10V4.5ns-3.7 ns49A20V30V----------ROHS3 Compliant-18 WeeksACTIVE (Last Updated: 2 days ago)Tin68.1mgSILICON-55°C~150°C TJe3yes5EAR99DUALFLAT260not_compliant30R-PDSO-F51增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20VMO-240AA0.0035Ohm66 mJ
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | 对比 |
![]() | BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | 对比 |





哦! 它是空的。