ON Semiconductor FDMS0309AS
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FDMS0309AS
1807-FDMS0309AS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
--最小包装量--
FDMS0309AS详情
ON Semiconductor FDMS0309AS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
68.1mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Ta 49A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 50W Tc
Turn Off Delay Time
29 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3V @ 1mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-F5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5m Ω @ 21A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3000pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 10V
上升时间
4.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.7 ns
连续放电电流(ID)
49A
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0035Ohm
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
66 mJ
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS0309AS拓展信息
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