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首页 全部分类 IRFH8325TR2PBF vs IRFH8324TRPBF

IRFH8325TR2PBF备选型号: IRFH8324TRPBF

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  • 终端形式
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  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • Infineon Technologies
    IRFH8325TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    PQFN (5x6)
    1
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5MOhm
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    3.6W
    12 ns
    N-Channel
    5mOhm @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2487pF @ 10V
    32nC @ 10V
    16ns
    30V
    7.1 ns
    21A
    1.8V
    20V
    30V
    2.487nF
    24 ns
    5mOhm
    5 mΩ
    1.8 V
    1.17mm
    5.85mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8324TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    23A Ta 90A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    13 ns
    N-Channel
    4.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2380pF @ 10V
    31nC @ 10V
    26ns
    -
    8.5 ns
    23A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    1.8 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    50A
    200A
    94 mJ
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