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首页 全部分类 IRFH8337TRPBF vs IRFH8334TRPBF

IRFH8337TRPBF备选型号: IRFH8334TRPBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH8337TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
    17 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    5.7 ns
    2011
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    6.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12.8m Ω @ 16.2A, 10V
    2.35V @ 25μA
    790pF @ 10V
    10nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    4.1 ns
    12A
    20V
    30V
    65A
    1.8 V
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    14A Ta 44A Tc
    2007
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    8.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    4.6 ns
    14A
    20V
    30V
    -
    1.8 V
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    260
    30
    0.009Ohm
    35 mJ
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