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首页 全部分类 IRFHM4226TRPBF vs FDD8780

IRFHM4226TRPBF备选型号: FDD8780

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  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IRFHM4226TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 25V 28A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    5
    SILICON
    28A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.2MOhm
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 50μA
    2000pF @ 13V
    32nC @ 10V
    35ns
    25V
    ±20V
    8.1 ns
    28A
    1.6V
    20V
    40A
    420A
    900μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8780
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8.5MOhm
    -
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1440pF @ 13V
    29nC @ 10V
    9ns
    -
    ±20V
    24 ns
    35A
    1.8V
    20V
    60A
    224A
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    260.37mg
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    25V
    鸥翼
    35A
    R-PSSO-G2
    TO-252AA
    25V
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