IRFHM4226TRPBF备选型号: IRFHM4234TRPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N CH 25V 28A PQFN表面贴装表面贴装8-TQFN Exposed Pad5SILICON28A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)5EAR992.2MOhmDUALSingle增强型MOSFET2.7WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING2.2m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 50μA2000pF @ 13V32nC @ 10V35ns25V±20V8.1 ns28A1.6V20V40A420A900μm3.3mm3.3mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--
- MOSFET N-CH 25V 20A PQFN表面贴装表面贴装8-TQFN Exposed Pad5SILICON20A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FASTIRFET™, HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)5EAR994.4MOhmDUALSingle增强型MOSFET2.8WDRAIN7.8 nsN-ChannelSWITCHING4.4m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 25μA1011pF @ 13V17nC @ 10V30ns25V±20V5.3 ns20A1.6V20V63A270A900μm3.3mm3.3mm无SVHC无符合RoHS标准无铅Copper, Silver, Tin39 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7560S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER 56 - More Details | 对比 | |
| FDMS7558S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin Power 56 T/R | 对比 | |
![]() | FDD8780 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA | 对比 |




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