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IRFHM7194TRPBF备选型号: IRFH7194TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- ECCN 代码
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 9.3A表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON9.3A Ta 34A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FASTIRFET™, HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)516.9mOhmDUAL无铅未说明未说明S-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING16.4m Ω @ 20A, 10V3.6V @ 50μA733pF @ 50V19nC @ 10V100V±20V34A9.3A95A100V220 mJ符合RoHS标准--- MOSFET N-CH 100V 11A表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON11A Ta 35A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FASTIRFET™, HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)517mOhmDUAL无铅未说明未说明R-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING16.4m Ω @ 21A, 10V3.6V @ 50μA733pF @ 50V19nC @ 10V100V±20V35A11A140A100V220 mJ符合RoHS标准EAR99无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 7.3A | 对比 |
| IRFH7194TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 11A | 对比 |
| DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | 对比 |
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