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首页 全部分类 IRFHM830DTRPBF vs IRLHM630TRPBF

IRFHM830DTRPBF备选型号: IRLHM630TRPBF

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  • ECCN 代码
  • 电阻
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 配置
  • Infineon Technologies
    IRFHM830DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    20A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    7.1MOhm
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    9.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    1797pF @ 25V
    27nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    6.7 ns
    20A
    1.8V
    20V
    40A
    30V
    1.8 V
    990.6μm
    3.2766mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHM630TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRLHM630TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    21A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    4.5MOhm
    DUAL
    S-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    37W
    DRAIN
    9.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 20A, 4.5V
    1.1V @ 50μA
    3170pF @ 25V
    62nC @ 4.5V
    32ns
    ±12V
    43 ns
    21A
    800mV
    12V
    -
    30V
    800 mV
    1mm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
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