Infineon Technologies IRFHM830DTRPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VQFN Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 37W Tc

Turn Off Delay Time

9.1 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.1MOhm

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1797pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.7 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

漏源击穿电压

30V

栅源电压

1.8 V

高度

990.6μm

长度

3.2766mm

宽度

3.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅