您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFHM831TRPBF vs DMN3010LK3-13

IRFHM831TRPBF备选型号: DMN3010LK3-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电容量
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRFHM831TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    12.6MOhm
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    6.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.8m Ω @ 12A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1050pF @ 25V
    16nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    4.7 ns
    14A
    1.8V
    20V
    40A
    30V
    96A
    50 mJ
    1.8 V
    990.6μm
    3.2766mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3010LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 43A TO252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    1.6W Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    4.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 18A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2075pF @ 15V
    37nC @ 10V
    19.6ns
    ±20V
    10.7 ns
    43A
    -
    20V
    -
    30V
    90A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3.949996g
    e3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.075nF
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    0.0095Ohm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N-KANAL POWER MOS 对比
IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 43A TO252 对比