IRFHM831TRPBF备选型号: IRLR7807ZTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JEDEC-95代码
- 恢复时间
- MOSFET N-CH 30V 14A PQFN13 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON14A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)5EAR9912.6MOhmDUALS-PDSO-N5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN6.9 nsN-ChannelSWITCHING7.8m Ω @ 12A, 10V2.35V @ 25μA1050pF @ 25V16nC @ 10V12ns±20V4.7 ns14A1.8V20V40A30V96A50 mJ1.8 V990.6μm3.2766mm3.3mm无SVHC无符合RoHS标准无铅---------
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON43A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)2EAR9913.8MOhm-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET40WDRAIN7.1 nsN-ChannelSWITCHING13.8m Ω @ 15A, 10V2.25V @ 250μA780pF @ 15V11nC @ 4.5V28ns±20V3.5 ns43A1.8V20V-30V-28 mJ1.8 V2.26mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Freee3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier30V鸥翼26043A30TO-252AA35 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-KANAL POWER MOS | 对比 |
![]() | IPD50N03S207ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
![]() | DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 43A TO252 | 对比 |






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