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首页 全部分类 IRFHM8330TRPBF vs FDMS7678

IRFHM8330TRPBF备选型号: FDMS7678

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  • 端子表面处理
  • 元素配置
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRFHM8330TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1450pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5.7 ns
    16A
    1.8V
    20V
    55A
    0.0066Ohm
    30V
    42 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7678
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDMS7678 - MOSFET, N-CH, 30V, 8PQFN
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17.5A Ta 26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 17.5A, 10V
    3V @ 250μA
    2410pF @ 15V
    39nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    3 ns
    17.5A
    1.5V
    20V
    26A
    0.0055Ohm
    30V
    54 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    74mg
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    Single
    MO-240AA
    70A
    1.5 V
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
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