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首页 全部分类 IRFHM8330TRPBF vs IRFHM8334TRPBF

IRFHM8330TRPBF备选型号: IRFHM8334TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IRFHM8330TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1450pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5.7 ns
    16A
    1.8V
    20V
    55A
    0.0066Ohm
    30V
    42 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    8.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    4.6 ns
    13A
    1.8V
    20V
    25A
    0.009Ohm
    -
    35 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    30V
    30V
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