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首页 全部分类 IRFHM8334TRPBF vs FDS6680A

IRFHM8334TRPBF备选型号: FDS6680A

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  • 触点镀层
  • 质量
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 额定电流
  • 元素配置
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  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRFHM8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    8.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    30V
    ±20V
    4.6 ns
    13A
    1.8V
    20V
    25A
    0.009Ohm
    30V
    35 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6680A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    12.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 12.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1620pF @ 15V
    23nC @ 5V
    5ns
    -
    ±20V
    15 ns
    12.5A
    2V
    20V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    130mg
    e4
    yes
    SMD/SMT
    9.5MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    逻辑电平兼容
    30V
    12.5A
    Single
    30V
    30V
    28 ns
    2 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
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