IRFHS8342TRPBF备选型号: IRFHS9301TRPBF

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
  • Infineon Technologies
    INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    8.8A Ta 19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    16MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    5.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5 ns
    8.8A
    1.8V
    20V
    8.5A
    30V
    1.8 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    INFINEON IRFHS9301TRPBF MOSFET Transistor, P Channel, -13 A, -30 V, 0.03 ohm, -10 V, -1.8 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    6A Ta 13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    37MOhm
    -
    DUAL
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    37m Ω @ 7.8A, 10V
    2.4V @ 25μA
    580pF @ 25V
    13nC @ 10V
    80ns
    ±20V
    25 ns
    6A
    -1.8V
    20V
    6A
    -30V
    -1.8 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Single
    30V
    52A
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
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