您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFHS8342TRPBF vs IRFHS9351TRPBF

IRFHS8342TRPBF备选型号: IRFHS9351TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRFHS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    SILICON
    8.8A Ta 19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    16MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    5.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5 ns
    8.8A
    1.8V
    20V
    8.5A
    30V
    1.8 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHS9351TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFHS9351TRPBF Dual MOSFET, Dual P Channel, -5.1 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.8 VNew
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VQFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.4W
    -
    8.3 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    170m Ω @ 3.1A, 10V
    2.4V @ 10μA
    160pF @ 25V
    3.7nC @ 10V
    30ns
    -
    7.9 ns
    2.3A
    -1.8V
    20V
    5.1A
    -30V
    -1.8 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HIGH RELIABILITY
    1.4W
    IRFHS9351PBF
    Dual
    30V
    0.17Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-VQFN Exposed Pad INFINEON IRFHS9351TRPBF Dual MOSFET, Dual P Channel, -5.1 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.8 VNew 对比
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-VQFN MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN 对比
IRFHS8242TRPBF IRFHS8242TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-PowerVDFN MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN 对比