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首页 全部分类 IRFI4110GPBF vs IPA045N10N3GXKSA1

IRFI4110GPBF备选型号: IPA045N10N3GXKSA1

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  • 宽度
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  • RoHS状态
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  • 无铅代码
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  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFI4110GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    72A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    4.5MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    61W
    ISOLATED
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    9540pF @ 50V
    290nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    71 ns
    72A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    290A
    4 V
    16.13mm
    10.75mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA045N10N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    64A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    -
    增强型MOSFET
    39W
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 64A, 10V
    3.5V @ 150μA
    8410pF @ 50V
    117nC @ 10V
    47ns
    ±20V
    15 ns
    64A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    256A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
    0.0045Ohm
    540 mJ
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