ON Semiconductor FDPF045N10A

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

67A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Turn Off Delay Time

50 ns

Power Dissipation (Max)

43W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

已出版

2011

系列

PowerTrench®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

43W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 67A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5270pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

74nC @ 10V

上升时间

26ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

67A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0045Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

268A

宽度

4.9mm

长度

10.36mm

高度

16.07mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅