IRFI4227PBF备选型号: FQPF19N20
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 无铅
- MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP12 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON26A Tc-40°C~150°C TJTubeHEXFET®2007活跃1 (Unlimited)3EAR99Single增强型MOSFET46WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 17A, 10V5V @ 250μA4600pF @ 25V110nC @ 10V19ns±30V29 ns26A5VTO-220AB30V0.025Ohm200V100A54 mJ9.8044mm10.6172mm4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant--------
- MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F4 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON11.8A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®2013活跃1 (Unlimited)3EAR99Single增强型MOSFET50WISOLATED20 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 5.9A, 10V5V @ 250μA1600pF @ 25V40nC @ 10V190ns±30V80 ns11.8A5VTO-220AB30V-200V48A250 mJ---无SVHC无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)2.27ge3yesTin (Sn)200V19.4A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF32N20C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F | 对比 | |
| FQPF19N20 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F | 对比 | |
| FDPF33N25T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F | 对比 |



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