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首页 全部分类 IRFI4228PBF vs IRFIB41N15DPBF

IRFI4228PBF备选型号: IRFIB41N15DPBF

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  • 辐射硬化
  • 无铅
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  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFI4228PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
    15 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    5V @ 250μA
    46W Tc
    2006
    HEXFET®
    Tube
    -40°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    16MOhm
    150V
    34A
    Single
    增强型MOSFET
    46W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 20A, 10V
    4560pF @ 25V
    110nC @ 10V
    ±30V
    34A
    TO-220AB
    30V
    150V
    4.826mm
    10.6172mm
    9.8mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFIB41N15DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
    14 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    5.5V @ 250μA
    41A Tc
    2003
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    150V
    41A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 25A, 10V
    2520pF @ 25V
    110nC @ 10V
    ±20V
    41A
    TO-220AB
    30V
    150V
    4.826mm
    10.6172mm
    16.12mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    260
    40
    16 ns
    63ns
    14 ns
    5.5V
    0.045Ohm
    150V
    470 mJ
    5.5 V
    无SVHC
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