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首页 全部分类 IRFI4321PBF vs IRFIB41N15DPBF

IRFI4321PBF备选型号: IRFIB41N15DPBF

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  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 箱体转运
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFI4321PBF
    Infineon Technologies
    IRFI4321PBF N-Channel MOSFET, 34 A, 150 V HEXFET, 3-Pin TO-220FP Infineon
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    镍外哑光锡
    150V
    260
    34A
    40
    Single
    增强型MOSFET
    46W
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 20A, 10V
    5V @ 250μA
    4440pF @ 50V
    110nC @ 10V
    29ns
    ±30V
    20 ns
    34A
    5V
    TO-220AB
    30V
    150V
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFIB41N15DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    150V
    260
    41A
    40
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 25A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2520pF @ 25V
    110nC @ 10V
    63ns
    ±20V
    14 ns
    41A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    150V
    16.12mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    雪崩 额定
    ISOLATED
    0.045Ohm
    150V
    470 mJ
    5.5 V
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