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IRFIZ34NPBF备选型号: IRLIZ34NPBF

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • Infineon Technologies
    IRFIZ34NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    21A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    60V
    20A
    Single
    增强型MOSFET
    31W
    ISOLATED
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    34nC @ 10V
    49ns
    ±20V
    40 ns
    21A
    4V
    TO-220AB
    20V
    0.04Ohm
    55V
    55V
    86 ns
    2.5kV
    20 V
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLIZ34NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    55V
    20A
    Single
    增强型MOSFET
    31W
    ISOLATED
    8.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 12A, 10V
    2V @ 250μA
    880pF @ 25V
    25nC @ 5V
    10ns
    ±16V
    21 ns
    22A
    2V
    TO-220AB
    16V
    -
    55V
    55V
    -
    2kV
    2 V
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    46mOhm
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