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首页 全部分类 IRFL014NTRPBF vs ZXMP6A13GTA

IRFL014NTRPBF备选型号: ZXMP6A13GTA

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRFL014NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    1.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    160mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    DUAL
    鸥翼
    1.9A
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 1.9A, 10V
    4V @ 250μA
    190pF @ 25V
    11nC @ 10V
    7.1ns
    ±20V
    3.3 ns
    1.9A
    4V
    20V
    2.7A
    55V
    61 ns
    4 V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMP6A13GTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    390mOhm
    -
    -60V
    DUAL
    鸥翼
    -2.3A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.9W
    DRAIN
    1.6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    390m Ω @ 900mA, 10V
    1V @ 250μA
    219pF @ 30V
    5.9nC @ 10V
    2.2ns
    ±20V
    5.7 ns
    2.3A
    -1V
    20V
    -
    -60V
    -
    -
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    7.994566mg
    e3
    no
    260
    30
    4
    1
    60V
    7.8A
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ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 对比