IRFL024ZTRPBF备选型号: IRLL024ZTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT22312 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON5.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010e3活跃1 (Unlimited)4EAR9957.5MOhmMatte Tin (Sn)AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55VDUAL鸥翼2601A30R-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.8WDRAIN7.8 nsN-ChannelSWITCHING57.5m Ω @ 3.1A, 10V4V @ 250μA340pF @ 25V14nC @ 10V21ns±20V23 ns5.1A4V20V55V55V4 V1.4478mm6.6802mm3.7mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free--
- MOSFET N-CH 55V 5A SOT22312 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)4EAR9960MOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY-DUAL鸥翼260-30R-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.8WDRAIN8.6 nsN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 3A, 10V3V @ 250μA380pF @ 25V11nC @ 5V33ns±16V15 ns5A-16V55V--1.4478mm6.6802mm3.7mm-无ROHS3 Compliant无铅5A40A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NDT3055 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | On a Reel of 4000, N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V, 3 Tab-Pin SOT-223 Fairchild NDT3055 | 对比 |
![]() | IRLL024ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | 对比 |



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