IRFM120ATF备选型号: FQT7N10TF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 端子表面处理
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3188mgSILICON2.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99200MOhm100VDUAL鸥翼2.3AR-PDSO-G4Single增强型MOSFET2.4WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING200m Ω @ 1.15A, 10V4V @ 250μA480pF @ 25V22nC @ 10V14ns±20V28 ns2.3A4V20V100V1.7mm6.7mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/RACTIVE (Last Updated: 5 days ago)17 Weeks-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3188mgSILICON1.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99350mOhm-100VDUAL鸥翼-1AR-PDSO-G4Single增强型MOSFET2WDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING350m Ω @ 850mA, 10V4V @ 250μA250pF @ 25V7.5nC @ 10V24ns±25V19 ns1.7A4V25V100V1.7mm6.7mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅QFET®Tin (Sn)6.8A50 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQT7N10TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | STN2NF10 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | IRLM120ATF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 | 对比 |



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