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首页 全部分类 IRFP064NPBF vs IRFP3306PBF

IRFP064NPBF备选型号: IRFP3306PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 双电源电压
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  • 恢复时间
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRFP064NPBF
    Infineon Technologies
    In a Tube of 25, N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin TO-247AC Infineon IRFP064NPBF
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    8MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    110A
    5.45mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 59A, 10V
    4V @ 250μA
    4000pF @ 25V
    170nC @ 10V
    100ns
    ±20V
    70 ns
    110A
    4V
    TO-247AC
    20V
    98A
    55V
    55V
    480 mJ
    170 ns
    175°C
    4 V
    24.99mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP3306PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    4.2MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    220W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    4520pF @ 50V
    120nC @ 10V
    76ns
    ±20V
    77 ns
    160A
    4V
    TO-247AC
    20V
    -
    60V
    -
    -
    31 ns
    -
    -
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    620A
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