IRFP4227PBF备选型号: IRFP90N20DPBF

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  • 工厂交货时间
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    65A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    25MOhm
    快速切换
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    33 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 46A, 10V
    5V @ 250μA
    4600pF @ 25V
    98nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    31 ns
    65A
    5V
    TO-247AC
    30V
    200V
    260A
    240V
    150 ns
    5 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    94A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    23mOhm
    -
    Single
    增强型MOSFET
    580W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 56A, 10V
    5V @ 250μA
    6040pF @ 25V
    270nC @ 10V
    160ns
    ±30V
    79 ns
    94A
    5V
    TO-247AC
    30V
    200V
    -
    200V
    340 ns
    5 V
    20.3mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    镍外哑光锡
    200V
    250
    94A
    30
    1
    90A
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