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首页 全部分类 IRFP7430PBF vs IRFP4004PBF

IRFP7430PBF备选型号: IRFP4004PBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFP7430PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 195A TO247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.3MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    366W
    DRAIN
    32 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    14240pF @ 25V
    460nC @ 10V
    105ns
    ±20V
    100 ns
    195A
    2.2V
    TO-247AC
    20V
    40V
    722 mJ
    52 ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Infineon Technologies
    IRFP4004PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.7MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    380W
    DRAIN
    59 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    8920pF @ 25V
    330nC @ 10V
    370ns
    ±20V
    190 ns
    350A
    4V
    TO-247AC
    20V
    40V
    290 mJ
    130 ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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