IRFP90N20DPBF备选型号: IRFP4668PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 终端
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC12 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON94A Tc-55°C~175°C TJBulkHEXFET®2001e3活跃1 (Unlimited)3EAR9923mOhm镍外哑光锡200V25094A301Single增强型MOSFET580WDRAIN23 nsN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 56A, 10V5V @ 250μA6040pF @ 25V270nC @ 10V160ns±30V79 ns94A5VTO-247AC30V90A200V200V340 ns5 V20.3mm15.875mm5.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC12 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON130A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3活跃1 (Unlimited)3EAR999.7MOhm--250-301Single增强型MOSFET520WDRAIN41 nsN-ChannelSWITCHING9.7m Ω @ 81A, 10V5V @ 250μA10720pF @ 50V241nC @ 10V105ns±30V74 ns130A5VTO-247AC30V-200V200V-5 V24.99mm15.87mm5.3086mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin通孔520A760 mJ175°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP4668PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC | 对比 |
![]() | IRFP4227PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC | 对比 |
![]() | STW90NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-channel 200V, 83A STripFET Mosfet | 对比 |




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