IRFR120ZTRLPBF备选型号: AUIRFR120ZTRL
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633D-Pak8.7A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C35W8.3 nsN-Channel190mOhm @ 5.2A, 10V4V @ 250μA310pF @ 25V10nC @ 10V26ns100V±20V23 ns8.7A20V100V310pF190mOhm190 mΩ2.3876mm6.7056mm6.22mm无符合RoHS标准--------------
- MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-8.7A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)--35W8.3 nsN-Channel190m Ω @ 5.2A, 10V4V @ 25μA310pF @ 25V10nC @ 10V26ns-±20V23 ns8.7A20V100V------无符合RoHS标准13 WeeksSILICON2EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHINGTO-252AA0.19Ohm20 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | 对比 |
![]() | FDD1600N10ALZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND | 对比 |
![]() | AUIRFR120Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | 对比 |




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