ON Semiconductor FDD1600N10ALZ

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

14.9W Tc

Turn Off Delay Time

13 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.8V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

14.9W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 3.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.61nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

6.8A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

5.08 mJ

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant