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首页 全部分类 IRFR3303TRPBF vs FDMS7670AS

IRFR3303TRPBF备选型号: FDMS7670AS

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFR3303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    33A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    31mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    30V
    鸥翼
    260
    33A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    57W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    750pF @ 25V
    29nC @ 10V
    99ns
    ±20V
    28 ns
    33A
    TO-252AA
    20V
    20A
    30V
    95 mJ
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7670AS
    ON Semiconductor
    MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    3MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    65W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 21A, 10V
    3V @ 1mA
    4225pF @ 15V
    66nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    42A
    MO-240AA
    20V
    22A
    30V
    -
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    68.1mg
    yes
    Tin (Sn)
    DUAL
    1.6V
    1.6 V
    无SVHC
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