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首页 全部分类 IRFR3410TRPBF vs IRFR540ZTRLPBF

IRFR3410TRPBF备选型号: IRFR540ZTRLPBF

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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRFR3410TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    39MOhm
    100V
    鸥翼
    260
    31A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    39m Ω @ 18A, 10V
    4V @ 250μA
    1690pF @ 25V
    56nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    13 ns
    31A
    4V
    TO-252AA
    20V
    100V
    100V
    4 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR540ZTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    91W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    28.5m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 50μA
    1690pF @ 25V
    59nC @ 10V
    42ns
    ±20V
    34 ns
    35A
    -
    TO-252AA
    20V
    100V
    -
    -
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    0.0285Ohm
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