STMicroelectronics STD20NF10T4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

85W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD20N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

85W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

25A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant