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首页 全部分类 IRFR3806TRPBF vs FDD13AN06A0

IRFR3806TRPBF备选型号: FDD13AN06A0

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  • 晶体管应用
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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFR3806TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    15.8MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    71W
    6.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15.8m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 50μA
    1150pF @ 50V
    30nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    47 ns
    43mA
    TO-252AA
    20V
    60V
    2 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD13AN06A0
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    9.9A Ta 50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    115W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    29nC @ 10V
    77ns
    ±20V
    25 ns
    50A
    TO-252AA
    20V
    60V
    4 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    260.37mg
    yes
    SMD/SMT
    60V
    9.9A
    FDD13AN06
    DRAIN
    4V
    60V
    56 mJ
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